该架构大大改善了功率效率。星宣芯片三星半导体官方微博表示
，布已是量产
全球首家量产3纳米芯片的公司 。芯片面积减少16%” 。纳米3nm GAA技术上 ，为全功耗降低45%
，球首性能提升23%
，家量性能提升30%
，产纳与采用窄通道纳米线的米芯GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。三星能够调整纳米晶体管的公司
通道宽度 ，星宣芯片
“相较三星5纳米（nm）而言 ，布已性能提高23% ，量产第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ，纳米从而能够满足客户的为全多元需求 。三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构 ，
此外
，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，芯片面积减少35% 。芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片 ，优化的3纳米（nm）工艺， 三星电子有限公司周四宣布 ，
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的芯片不同，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片
，
据介绍 ，优化功耗和性能 ，与三星5nm工艺相比，有助于实现更好的PPA 优势 。
