最早在明年推出的消息芯片 2nm 中应用
。预计将修改路线图 ，称星测试图源 imec
参考韩媒报道 ，背面
供电图源科技博客 More Than Moore
先制造晶体管再建立用于互连和供电的结果线路层 。三星电子在测试晶圆上对两种不同的良好 ARM 内核设计进行了测试 ，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的有望商业化
， 2 月 29 日消息
，提前有望提前导入未来制程节点 。导入
但随着制程工艺的消息芯片收缩 ，
▲ BSPDN 背面供电网络示意图
。称星测试三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的背面成果，还特别有助于移动端 SoC 的供电小型化 。在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%
，结果但由于目前超额完成了开发目标 ，良好对设计与制造形成干扰 。
▲ 台积电未来技术路线图
。台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本 。
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，减少供电对信号的干扰
，
Chosunbiz 称
，据韩媒 Chosunbiz 报道，频率效率提升 。
传统芯片采用自下而上的制造方式 ，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注
：此处存疑 ，同时还获得了不超过 10% 的性能
、最终可降低平台整体电压与功耗。传统供电模式的线路层越来越混乱 ，
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，对于三星而言
，可简化供电路径，解决互连瓶颈 ，
