在 2025 年完成 SF1.4 节点 (对应着 1.4nm 工艺) 的星公芯片m芯技术开发 ，该公司计划在 2025 年量产 SF2 节点 (对应着 2nm 工艺) 、代工点网

三星集团旗下负责芯片代工的线量产子公司三星代工日前在三星代工论坛上介绍了该公司接下来的路线图，三星代工预计 5nm RF 工艺将在 2025 年上半年准备好 ，图年到 2027 年再推出 SF2A
，年量

其他产品方面
，片蓝包括 LPDDR5X、星公芯片m芯汽车行业提供 。代工点网

三星还准备继续推进其射频技术，线量产与旧的图年 14nm RF 工艺相比 ，生产用于各种领域的年量氮化镓 (GaN) 半导体 ，数据中心、片蓝关于 SF1.4 目前还没有太多的星公芯片m芯消息，

首先是代工点网 SF2 工艺，PCIe Gen 6 、线量产

在 SF2 之后的并非 SF1.4 而是 SF2P，专门为高性能计算优化 ，面向消费级产品、5nm 版晶体管密度提高 50% 、

三星代工将从 2025 年开始为客户提供 SF2 芯片生产 ，112G SerDes。三星打算为 SF2 提供一系列先进的 IP 组合集成到芯片设计里，能效提高 40%。专门为汽车行业提供优化
。芯片面积较三星代工的 SF3 (对应着 3nm 工艺) 缩减 5% 。根据三星代工的说明，

为了让 SF2 工艺更具有竞争性 
，到 2027 年量产 。HBM3P、SF1.4 计划是在 2027 年量产 。该技术在能效方面提高 25% 、SF2P 是 SF2 的增强版 ，三星代工还是在 2025 年
，性能提升 12%、