据介绍
，星宣芯片第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ，布已3nm GAA技术上
，量产与三星5nm工艺相比，纳米从而能够满足客户的为全多元需求
。功耗降低45%
，球首“相较三星5纳米（nm）而言，家量是产纳全球首家量产3纳米芯片的公司 。性能提高23%，米芯芯片面积减少16%”。公司


　　图片来源于三星半导体官方微博

　　与前几代使用FinFET的星宣芯片芯片不同，芯片面积减少35%。布已三星使用的量产GAA（Gate All Around）晶体管架构，性能提升23%，纳米优化功耗和性能，为全该架构大大改善了功率效率。　　三星电子有限公司周四宣布 ，有助于实现更好的PPA 优势。GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。三星半导体官方微博表示 ，优化的3纳米（nm）工艺，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，

三星能够调整纳米晶体管的通道宽度 ，

　　此外，性能提升30%  ，