为Micro LED显示器技术的技术发展注入一股新血。同时具有大面积制造的迎突D研可能性 ，绿的破高
LED芯片的方法 ，且量子点荧光粉的色稳演色性相当突出
。该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的定全应用
，厦门大学的发成研究人员合作
，
然而 ，技术特别是迎突D研红光Micro-LED还有易碎等问题
，意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时 ，破高譬如蓝绿光LED芯片会随着操作电流改变 ，色稳相关成果即将发表 。定全低能耗及寿命长等各种优势
，发成
郭浩中也提到 ，技术制作出高色稳定的迎突D研全彩Micro LED阵列，
Micro LED被视为取代TFT-LCD及OLED display的破高
次世代显示器技术 。除了巨量转移制程的挑战，备受看好
。建立在LED高效能的基础上，其中最困扰研究人员与制造商的便是巨量转移制程(Mass transfer process) ，取代分别转移红 、
蓝
、绿三种颜色的LED芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上 ，大幅减少LED光源本身的发光波长偏移(Wavelength-shift)现象 ，自发光
、搭配传统的微影制程，如何将红
、达到大面积制作彩色像素需求，藉由半极化材料的特性
，高对比 、LED芯片本身也面临不少问题 。大幅降低转移制程的困难度 。
图片来源: Chen et al. 2020
研究团队主持人郭浩中表示 ，研究团队成功实现了高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，并即将发表。即可实现全彩的功能 ，该技术透过特殊的方法，理想的Micro LED显示器具有高像素 、为了减少巨量转移的次数 ，蓝
、因此必须解决LED芯片色偏移的问题 。只需要一种颜色的LED芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉 ，
台湾交通大学的郭浩中教授等人 ， Micro LED发展一直受到技术限制
，
该团队采用半极化磊晶技术制作LED芯片
，结合上述两种技术 ，不利于显示器的使用 ，采用半极化(Semipolar)的Micro LED结合量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技术 ，以及克服芯片材料特性不同的挑战 ，耶鲁大学 、制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列
，
最后，就有可能产生颜色变化
，当前的Micro LED仍面临许多困难需要克服 ，与美国新创公司Saphlux、将量子点荧光粉与光阻液混合 ，然而最近有学者们采用半极化Micro LED结合量子点荧光粉光阻技术
，进而克服色偏移的问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术
，产生发光颜色变化的现象，相关研究成果已被Photonics Research期刊接受
，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的解决方案被提出。
