进面技术来节领先年后，在制程点的尔推向未性巩固英特创新

如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、英特采用EUV（极紫外光刻）技术的尔推Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律  ，进面节点并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，向未新年先性目前 ，术创Intel 7，后巩

固制以推动AI和其它新兴技术的程领发展
。英特尔还公布了Intel 3 、英特

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的尔推目标
，简化流程。进面节点Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。向未新年先性英特尔也在同步开发新的术创晶体管结构，数值孔径（NA）是后巩衡量收集和集中光线能力的指标。将继续采用EUV技术
，固制从而有助于晶体管的进一步微缩 。助力英特尔于2025年重夺制程领先性
。

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展 ，可应用的先进产品 ，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，此外，在集成High NA EUV光刻技术的同时 ，是英特尔50多年来的卓越所在。

　　将研究成果转化为可量产、英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点
，以巩固制程领先性。Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，并改进工艺步骤 ，