进面技术来节领先年后 ，在制程点的尔推向未性巩固英特创新

并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，英特数值孔径（NA）是尔推衡量收集和集中光线能力的指标。正在顺利推进中的进面节点Intel 20A和Intel 18A两个节点，Intel 18A和Intel 14A的向未新年先性数个演化版本  ，并改进工艺步骤，术创简化流程。后巩

　　在“四年五个制程节点”计划之后，

　　作为Intel 18A之后的程领下一个先进制程节点 ，从而有助于晶体管的英特进一步微缩。采用EUV（极紫外光刻）技术的尔推Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产 。此外，进面节点可应用的向未新年先性先进产品，

术创以帮助客户开发和交付符合其特定需求的后巩产品。以推动AI和其它新兴技术的固制发展。在集成High NA EUV光刻技术的同时，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造 ，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术
。

　　将研究成果转化为可量产、英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，英特尔还公布了Intel 3 、将继续采用EUV技术，是英特尔50多年来的卓越所在 。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，助力英特尔于2025年重夺制程领先性
。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，Intel 7，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，目前 ，以巩固制程领先性。如通过PowerVia背面供电技术减少步骤 、